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IRFI644G中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFI644G
廠商型號

IRFI644G

功能描述

Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=7.9A)

文件大小

174.94 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-28 10:10:00

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IRFI644G規(guī)格書詳情

HEXFET Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFI644G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
21+
TO-220F
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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