IRFD9010中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRFD9010 |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
134.89 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-2 20:00:00 |
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IRFD9010規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The HVMDIP technology is the key to Vishay’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the HVMDIP design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.
FEATURES
? For Automatic Insertion
? Compact, End Stackable
?Fast Switching
? Low Drive Current
? Easy Paralleled
? Excellent Temperature Stability
? P-Channel Versatility
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFD9010
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3675 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
DIP-4 |
8238 |
詢價(jià) | |||
SILICONIX (VISHAY) |
23+ |
原廠原封 |
6400 |
訂貨1周 原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
HD-1 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
HD-1 |
5000 |
詢價(jià) | |||
IR |
20 |
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中!! |
詢價(jià) | ||||
VishayPCS |
新 |
1826 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
DIP |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
SILICONIXVISHAY |
2022+ |
NA |
8600 |
原裝正品,歡迎來電咨詢! |
詢價(jià) | ||
IR |
2023+ |
HD-1 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
