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IRF9Z34NS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF9Z34NS
廠商型號(hào)

IRF9Z34NS
功能描述

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
文件大小

162.29 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-11 16:50:00
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IRF9Z34NS規(guī)格書(shū)詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Surface Mount (IRF9Z34NS)

Low-profile through-hole (IRF9Z34NL)

175°C Operating Temperature

Fast Switching

P-Channel

Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF9Z34NS

  • 制造商：

    International Rectifier

  • 功能描述：

    Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

  • 功能描述：

    MOSFET P D2-PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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