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IRF9Z24中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF9Z24
廠商型號(hào)

IRF9Z24
功能描述

P-CHANNEL POWER MOSFETs
文件大小

287.18 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung【三星】

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-13 18:13:00

IRF9Z24規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Lower RDS(ON)

? Improved inductive ruggedness

? Fast switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Lower input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high tmeperature reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF9Z24

  • 功能描述：

    MOSFET P-Chan 60V 11 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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