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IRF9910_IR/國際整流器_MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC華來深電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
IRF9910
- 功能描述:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導體產品 >> FET - 陣列
- 系列:
HEXFET®
- 產品目錄繪圖:
8-SOIC Mosfet Package
- 標準包裝:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 個 N 溝道(雙) FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:
PowerPAK? SO-8
- 包裝:
Digi-Reel®
- 產品目錄頁面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供應商
- 企業(yè):
深圳市華來深電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱先生
- 手機:
13751106682
- 詢價:
- 電話:
0755-83238902/15013580756
- 傳真:
0755-83972189
- 地址:
深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟4樓4B35/門市部:深圳市福田區(qū)華強北路國利大廈新亞洲二期N2B227
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