国产亚洲精品a在线无码麻豆,狠狠色狠狠色综合网老熟女,国产精品色综合久久

首頁 >IRF9530L>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRF9530N	文件：113.13 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-14A) VDSS=-100V RDS(on)=0.20? ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530N	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9530N	文件：2.77627 Mbytes Page：7 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9530NL	文件：1.20027 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowintern	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9530NL	文件：273.47 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤200m?(@VGS=-10V;ID=-8.4A) ?Advancedtrenchprocesstechnology ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Fastswitchingapplication.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9530NL	文件：173.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-14A) VDSS=-100V RDS(on)=0.20? ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NLPBF	文件：758.16 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnologySurfaceMount VDSS=-100V RDS(on)=0.20? ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NLPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=-100V RDS(on)=0.20? ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NPBF	文件：231.44 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NPBF	文件：123.78 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=-100V RDS(on)=0.20? ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NPBF	文件：1.65887 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PowerSwitch ?LoadSwitchinHighCurrentApplications ?DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF9530NS	文件：173.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-14A) VDSS=-100V RDS(on)=0.20? ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NS	文件：297.81 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤200m?(@VGS=-10V;ID=-8.4A) ?Advancedtrenchprocesstechnology ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Fastswitchingapplication.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9530NS	文件：1.07966 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowintern	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9530NSPBF	文件：758.16 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnologySurfaceMount VDSS=-100V RDS(on)=0.20? ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=-100V RDS(on)=0.20? ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSPBF	文件：823.61 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRF9530NSTRLPbF	文件：823.61 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRF9530NSTRLPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=-100V RDS(on)=0.20? ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF

12 3 >>>

詳細參數(shù)

型號：
IRF9530L
功能描述：
MOSFET P-CH 100V 12A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市科雨電子有限公司	IRF9530L	VISHAY	1503+	TO-262	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IRF9530L	VISHAY/威世	23+	TO-262	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF9530L	Vishay Siliconix	22+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	IRF9530L	Vishay Siliconix	21+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRF9530L	Vishay Siliconix	23+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IRF9530L	Vishay Siliconix	2022+	TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-26	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	IRF9530-LF	IR	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRF9530-LF	IR	23+		7000		詢價
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	IRF9530N	IR			46	原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRF9530N	IR	23+	T0-220	19526		詢價

更多IRF9530L供應(yīng)商更新時間2021-9-14 10:50:00

詳細參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存