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IRF830中文資料新硅能微電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF830
廠(chǎng)商型號(hào)

IRF830
功能描述

High current, high speed switching
文件大小

452.89 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠(chǎng)商 Silikron Semiconductor Co.,LTD.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

SILIKRON【新硅能微電子】

中文名稱(chēng)

新硅能微電子(蘇州)有限公司官網(wǎng)
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-12 20:02:00
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IRF830規(guī)格書(shū)詳情

Description

The IRF830 is a new generation of high voltage N–Channel enhancement mode power MOSFETs and is obtained through an extreme optimization layout design, in additional to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability, provide superior switching performance, withstand high energy pulse in the avalanche, and increases packing density.

Features

■ Extremely high dv/dt capability

■ Low Gate Charge Qg results in

Simple Drive Requirement

■ 100 avalanche tested

■ Gate charge minimized

■ Very low intrinsic capacitances

■ Very good manufacturing repeatability

Application

■ High current, high speed switching

■ Lighting

■ Ideal for off-line power supply, adaptor, PFC

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF830

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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