IRF7832TR中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF7832TR規(guī)格書詳情
Benefits
● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
● Ultra-Low Gate Impedance
● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
● 20V VGS Max. Gate Rating
● 100 tested for Rg
Applications
● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power
● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF7832TR
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NE |
23+ |
65480 |
詢價 | ||||
IR |
2025+ |
SOP |
3795 |
全新原裝、公司現(xiàn)貨熱賣 |
詢價 | ||
IOR |
24+ |
SOP8 |
2650 |
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詢價 | ||
IR |
24+ |
SOP8 |
66800 |
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詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
8-SO |
16000 |
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詢價 | ||
IR |
24+ |
SOP-8 |
1547 |
原廠原裝貨/代理渠道 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
SOP-8 |
5825 |
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詢價 | ||
IR |
23+ |
SOP-8 |
4590 |
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詢價 | ||
IR |
23+ |
SO-8 |
19526 |
詢價 | |||
IR |
1950+ |
SOP8 |
6852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 |
