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IRF7807VD1中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7807VD1
廠商型號

IRF7807VD1
功能描述

HEXFET Power MOSFET
文件大小

1.14942 Mbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-16 18:48:00
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IRF7807VD1規(guī)格書詳情

Description

The FETKY? family of Co-Pack HEXFET? MOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifier’s low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications.

? Co-Pack N-channel HEXFET? Power MOSFET

and Schottky Diode

? Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC

Converters Up to 5A Output

? Low Conduction Losses

? Low Switching Losses

? Low Vf Schottky Rectifier

? 100 RG Tested

? Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF7807VD1

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    FETKY™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
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