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IRF7389中文資料友臺半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7389
廠商型號

IRF7389

功能描述

Dual N P Channel MOSFET

絲印標(biāo)識

IRF7389

封裝外殼

SOP-8

文件大小

443.24 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

UMW友臺半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-8 23:00:00

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IRF7389規(guī)格書詳情

Features

N-Ch:

e VbDs (v=30V

? RbsEN) < 29mo (Ves = 10V)

? RbsoN) < 46mo (Ves = 4.5V)

P-Ch:

e VDs (v=-30V

? RpsoN) < 58moe (Ves = -10V)

? RpsoN) < 98mo (Ves = -4.5V)

e Generation V Technology

e Ultra Low On-Resistance

eo Complimentary Half Bridge

e Surface Mount

eo Fully Avalanche Rated

e Lead-Free

Description

The SOP-8 has been modfied through a

customized eadframe for enhanced thermal

characteristics and multiple-die capability making

it ideal in a variety of power applications. With

these improvements. multiple devices can be

used in an application with dramatically reduced

board space. The package is desianed for vapor

phase, inra red, orwave soldering technigues

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF7389

  • 功能描述:

    MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    HEXFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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