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IRF7342PBF

HEXFET? Power MOSFET (VDSS = -55V , RDS(on) = 0.105廓)

IRF

International Rectifier

IRF7342PBF

Generation V Technology

IRF

International Rectifier

IRF7342PBF

Dual P Channel MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRF7342PBF

Generation V Technology

IRF

International Rectifier

IRF7342PBF_15

Generation V Technology

IRF

International Rectifier

IRF7342PBF-1

Industry-standard pinout SO-8 Package

IRF

International Rectifier

IRF7342PBF-1_15

Industry-standard pinout SO-8 Package

IRF

International Rectifier

IRF7342QPBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF7342QPBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRF7342QPBF_10

HEXFET? Power MOSFET

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF7342

  • 功能描述：

    MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    HEXFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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24+
原廠封裝
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
更多IRF7342供應(yīng)商 更新時間2025-3-31 16:20:00

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