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IRF7324D1中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7324D1
廠商型號

IRF7324D1

功能描述

FETKY MOSFET / Schottky Diode

文件大小

164.18 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-22 11:19:00

IRF7324D1規(guī)格書詳情

Description

The FETKY family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifiers low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications.

The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO-8 package is designed for vapor phase, infrared or wave soldering techniques.

● Co-packaged HEXFET? Power MOSFET and Schottky Diode

● Ideal for Mobile Phone Applications

● Generation V Technology

● SO-8 Footprint

產品屬性

  • 型號:

    IRF7324D1

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    FETKY™

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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