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IRF6713STR1PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF6713STR1PBF
- 功能描述：
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 21nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1420+ |
DIRECTFET |
1542 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
DIRECTFET |
12000 |
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詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
DirectFET? Isometric SQ |
13880 |
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詢價 | ||
IR優(yōu)勢 |
SMD |
1500 |
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詢價 | |||
IR |
1822+ |
DIRECTFET |
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詢價 | ||
IR |
0906+ |
Direct-FET |
904 |
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詢價 | ||
IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
QFN |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
DIRECT |
15780 |
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詢價 | ||
ir |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價,代理渠道 |
詢價 |
