首頁(yè)>IRF6713STR1PBF>規(guī)格書(shū)詳情
IRF6713STR1PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF6713STR1PBF
- 功能描述：
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 21nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1822+ |
DIRECTFET |
9852 |
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詢價(jià) | ||
IOR |
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DIRECTFETSQ |
10000 |
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Infineon Technologies |
21+ |
DIRECTFET? SQ |
1000 |
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DIRECTFET |
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IR |
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DIRECTFET |
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Infineon Technologies |
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DirectFET? 等容 SQ |
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詢價(jià) | ||
IR |
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DIRECT |
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Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
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IR |
DIRECTFET |
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