IRF640T中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
IRF640T |
功能描述 | N-channel 200V - 0.15廓 - 15A - TO-220 MESH OVERLAY??Power MOSFET |
文件大小 |
247.31 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體(ST)集團官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-10-26 20:00:00 |
IRF640T規(guī)格書詳情
Description
This Power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY? process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources
General features
■ Extremely high dv/dt capability
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitances
Applications
■ Switching application
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IRF640T
- 制造商:
STMICROELECTRONICS
- 制造商全稱:
STMicroelectronics
- 功能描述:
N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO220 |
58000 |
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