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IRF630NL	文件：155.06 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NL	文件：209.86 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30? Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.200?(Typ),VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER?ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF630NL	文件：289.01 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor ?FEATURES ?WithTO-262packaging ?Highspeedswitching ?Lowgateinputresistance ?Standardlevelgatedrive ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?Switchingapplicatio	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF630NL	文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NL	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF630NLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NLPBF	文件：292.16 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NPBF	文件：292.16 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NS	文件：155.06 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.30ohm,Id=9.3A) Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NS	文件：209.86 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs200V,9.3A,0.30? Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.200?(Typ),VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER?ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF630NS	文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NS	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF630NSPBF	文件：292.16 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF630NL
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF630NL	IR	24+	TO-262	8866		詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF630NL	IR	2015+	TO-262	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF630NL	IR	23+	TO-262	7600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF630NL	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	IRF630NL	IR	23+	TO-262-3	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF630NL	IR	23+	TO-262	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRF630NL	INFINEON	1503+	TO-262	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
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更多IRF630NL供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 16:30:00

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