首頁 >IRF630>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

IRF630

N-Channel Power Mosfets

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRF630

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRF630

FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

IRF630

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF630

N-channel 200V - 0.35廓 - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay??II Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

IRF630_V01

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF630A

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.333Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRF630A

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?DrainCurrent–ID=9A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ?FastSwitchingSpeed ?LowDriveRequirement APPLICATIONS ?Thisdeviceisn-channel,enhancementmode,powerMOSFET designedespecia

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF630B

200V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRF630B

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?DrainCurrent–ID=9A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ?FastSwitchingSpeed APPLICATIONS ?DesingedforhighefficiencyswitchingDC/DCconverters, switchmodepowersupplies,DC-ACconver

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF630

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
HARRIS
19+
TO-220
20000
詢價
STM
22+
TO-220-3
40000
詢價
STMicroelectronics
24+
TO-220
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
 詢價
APEC
全新原裝
TO-220(P)
5000
全新原裝 貨期兩周
 詢價
2015+
500
公司現(xiàn)貨庫存
 詢價
IR
24+
TO-220
2000
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
 詢價
ST/意法
1809+
TO-220
3
原裝正品 可含稅交易
 詢價
STM
21+
15000
TO-220-3
 詢價
ST(意法半導體)
24+
?TO-220
10000
只做原裝現(xiàn)貨 假一賠萬
 詢價
MOT
24+
3TO-220
4000
原裝原廠代理 可免費送樣品
 詢價
更多IRF630供應商 更新時間2025-4-24 16:04:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多