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IRF614STRRPBFA	文件：217.94 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI614B	文件：649.21 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI614G	文件：173.14 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=2.0ohm,Id=2.1A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI614G	文件：1.51135 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI614G	文件：282.67 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI614GPBF	文件：292.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI614GPBF	文件：1.51135 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI614GPBF	文件：282.67 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFS614A	文件：264.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS614B	文件：855.44 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFS614B	文件：264.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFW614B	文件：649.21 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IXD_614	文件：310.66 Kbytes Page：14 Pages	14APeakSource/SinkDriveCurrent	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXD_614	文件：1.66461 Mbytes Page：14 Pages	14-AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDrivers	Clare Clare, Inc.	Clare
IXD_614SI	文件：260.35 Kbytes Page：12 Pages	AECQ100Qualified	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDD614CI	文件：1.66461 Mbytes Page：14 Pages	14-AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDrivers	Clare Clare, Inc.	Clare
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IXDD614PI	文件：1.66461 Mbytes Page：14 Pages	14-AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDrivers	Clare Clare, Inc.	Clare
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IXDD614SI	文件：310.66 Kbytes Page：14 Pages	14APeakSource/SinkDriveCurrent	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市特萊科技有限公司	IRF614STRRPBFMOS	IR/INFINEON	24+23+	TO-263	12580	16年現(xiàn)貨庫存供應商終端BOM表可配單提供樣品	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	IRF614STRRPBFMOS(場效應管)	IR	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
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