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IRF610中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF610
廠商型號

IRF610
功能描述

N-Channel Power MOSFETs 3.5 A, 150-200 V
文件大小

113.15 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
NJSEMI
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-1 23:00:00
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IRF610規(guī)格書詳情

描述 Description

These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high speed applications, such as switching power supplies, converters, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and other pulse circuits.

● LOW RDS(on)

● VQS Rated at ± 20 V

● Silicon Gate for Fast Switching Speeds

● IDSS, VDS(0n), Specified at Elevated Temperature

● Rugged

● Low Drive Requirements

● Ease of Paralleling

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF610

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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