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IRF550A中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF550A
廠商型號(hào)

IRF550A

功能描述

Advanced Power MOSFET

文件大小

261.72 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-1 16:42:00

IRF550A規(guī)格書詳情

FEATURES

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

175°C Operating Temperature

Lower Leakage Current : 10μA (Max.) @ VDS= 100V

Lower RDS(ON) : 0.032?(Typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF550A

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel A-FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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