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IRF4S3中文資料新澤西半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	IRF4S3
功能描述	N-CHANNE POWER MOSFETS
文件大小	136.22 Kbytes
頁面數(shù)量	3 頁
生產(chǎn)廠商	New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱	NJSEMI【新澤西半導體】
中文名稱	新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-5-24 11:34:00
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FEATURES

? Low Rds(on) ) at high voltage

? Improved Inductive ruggedness

? Excellent high voltage stability

? Fast switching times

? Rugged polysillcon gate cell structure

? Low Input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

? TO-3 package (High voltage)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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