IRF3805S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF3805S規(guī)格書詳情
VDSS = 55V
RDS(on) = 3.3m?
ID = 75A
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device
for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產品屬性
- 型號：
IRF3805S
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINE0N |
21+ |
D2PAK (TO-263) |
32568 |
100%進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO263-7 |
22584 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
D2PAK-7P |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-263- |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
D2-pak |
203322 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
NA |
19+ |
74541 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價 | |||
IR |
2015+ |
D2-Pak |
12500 |
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應 |
詢價 |
