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IRF350中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF350
廠商型號(hào)

IRF350

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

212.49 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-30 16:30:00

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IRF350規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

● Low RDS(on)

● Improved inductive ruggedness

● Fast switching times

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Low input capacitance

● Extended safe operating area

● Improved high temperature reliability

● TO-3 package (Standard)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF350

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET N-CH 400V 14A 2PIN TO-204AA - Bulk

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    HEXFET, HI-REL - Bulk

  • 制造商:

    Intersil Corporation

  • 功能描述:

    MOSFET N TO-3 ((NW))

  • 功能描述:

    MOSFET, N TO-3 ((NW))

  • 功能描述:

    N CH MOSFET, 400V, 14A, TO-204AA; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    14A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    400V; On Resistance

  • Rds(on):

    300mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    4V; No. of

  • Pins:

    2;RoHS

  • Compliant:

    No

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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