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IRF2907ZSPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF2907ZSPBF
廠商型號(hào)

IRF2907ZSPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

785.48 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-29 15:48:00

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IRF2907ZSPBF規(guī)格書詳情

VDSS = 75V

RDS(on) = 4.5m?

ID = 160A

Description

This HEXFET?Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Features

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF2907ZSPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 180nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
D2-PAK
56000
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持
詢價(jià)
IR
23+
TO-263
28500
原裝正品,假一罰十
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TO-263
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英瑞芯只做原裝正品!!!
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D2-PAK
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原裝正品
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24+
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INFINEON/英飛凌
2447
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D2-PAK
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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