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VDSS = 40V
RDS(on) = 1.6m?
ID = 160A
Description
This HEXFET?Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Features
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF2804S-7P
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK7
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
D2Pak7Lead |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
N/A |
N/A |
100 |
軍工品,原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | |||
IR |
2020+ |
TO-263- |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO263 |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
SOT-263-7 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價(jià) | ||
IR/INFINEON |
24+ |
TO263-7 |
3977 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
INFINEON TECHNOLOGIES |
22+ |
SMD |
518000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO263-7 |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
