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IRF233中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF233
廠商型號

IRF233

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

212.01 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 18:26:00

IRF233規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low RDS(on)

? Improved inductive ruggedness

? Fsat switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

? TO-3 package (Standard)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF233

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 制造商:

    Harris Corporation

  • 制造商:

    International Rectifier

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
HARRIS(哈利斯)
23+
TO3
6000
誠信服務,絕對原裝原盤
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專業(yè)鐵帽
TO-3
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IR
24+
TO-3
10000
詢價
IR
23+
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詢價
IR
23+
TO-3
7000
詢價
IR
23+
TO-3
8000
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
IR
23+
TO-3
8000
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
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