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IRF231中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF231
廠商型號(hào)

IRF231

功能描述

N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V

文件大小

106.61 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-8 20:16:00

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IRF231規(guī)格書詳情

Description

These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high power, high speed applications, such as switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits.

● Low RDS(on)

● VQS Rated at ±20 V

● Silicon Gate for Fast Switching Speeds

● oss. vos(on), Specified at Elevated Temperature

● Rugged

● Low Drive Requirements

● Ease of Paralleling

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF231

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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