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IRF1704中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF1704
廠商型號

IRF1704

功能描述

Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A??

文件大小

102.09 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-2 17:54:00

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IRF1704規(guī)格書詳情

Description

Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? power MOSFET has a 200°C max operating temperature with a Stripe Planar design that utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET? power MOSFET are fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

The continuing technology leadership of Internationl Rectifier provides 200°C operating temperature in a plastic package. At high ambient temperatures, the IRF1704 can carry up to 20 more current than similar 175 °C Tj max devices in the same package outline. This makes this part ideal for existing and emerging under-the-hood automotive applications such as Electric Power Steering (EPS), Fuel / Water Pump Control and wide variety of other applications.

Benefits

? 200°C Operaing Temperature

? Advanced Process Technology

? Ultra Low On-Resistance

? Dynamic dv/dt Rating

? Fast Switching

? Repetitive Avalanche Allowed up to Tj Max

? Automotive Qualified (Q101)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF1704

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 170A TO-220AB

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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