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IR2213	文件：264.99 Kbytes Page：14 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
IR2213	文件：1.20988 Mbytes Page：18 Pages	High and Low Side Driver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
IR2213	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：14-DIP（0.300"，7.62mm）類別：集成電路（IC）柵極驅(qū)動器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IR2213C_8	文件：1.05681 Mbytes Page：16 Pages	High and Low Side Driver in Die form Features ?Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation ?Fullyoperationalto+1200V ?Toleranttonegativetransientvoltage ?dV/dtimmune ?Gatedrivesupplyrangefrom12Vto20V ?Undervoltagelockoutforbothchannels ?3.3Vlogiccompatible ?Separatelogicsupplyrangefrom3.3V	IRF International Rectifier	IRF
IR2213C8X6SA1	文件：1.05681 Mbytes Page：16 Pages	High and Low Side Driver in Die form Features ?Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation ?Fullyoperationalto+1200V ?Toleranttonegativetransientvoltage ?dV/dtimmune ?Gatedrivesupplyrangefrom12Vto20V ?Undervoltagelockoutforbothchannels ?3.3Vlogiccompatible ?Separatelogicsupplyrangefrom3.3V	IRF International Rectifier	IRF
IR2213PBF	文件：1.20988 Mbytes Page：18 Pages	High and Low Side Driver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
IR2213PBF	文件：1.22362 Mbytes Page：18 Pages	High and Low Side Driver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IR2213S	文件：1.22362 Mbytes Page：18 Pages	High and Low Side Driver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IR2213SPBF	文件：439.23 Kbytes Page：15 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
IR2213SPBF	文件：1.20988 Mbytes Page：18 Pages	High and Low Side Driver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
IR2213STRPBF	文件：439.23 Kbytes Page：15 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
IR2213PBF	文件：1.20988 Mbytes Page：18 Pages	High and Low Side Driver	IRF International Rectifier	IRF
IR2213PBF_15	文件：1.20988 Mbytes Page：18 Pages	High and Low Side Driver	IRF International Rectifier	IRF
IR2213S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）類別：集成電路（IC）柵極驅(qū)動器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IR2213SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）類別：集成電路（IC）柵極驅(qū)動器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IR2213
制造商：
Infineon Technologies
類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器
包裝：
管件
驅(qū)動配置：
半橋
通道類型：
獨(dú)立式
柵極類型：
IGBT，N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電：
12V ~ 20V
邏輯電壓?- VIL，VIH：
6V，9.5V
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
2A，2.5A
輸入類型：
非反相
上升/下降時間（典型值）：
25ns，17ns
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
14-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商器件封裝：
14-DIP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳誠思涵科技有限公司	IR2213	IR	24+	DIP-14	8000	只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IR2213		24+	DIP	5		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IR2213	IR	23+	DIP	8653	全新原裝優(yōu)勢	詢價
深圳市弘為電子有限公司	IR2213	IR	24+	原廠封裝	2000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IR2213	IR	23+	SOP	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IR2213	IOR	2016+	DIP14	6528	只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!	詢價
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	IR2213	ir	24+	N/A	6980	原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票	詢價
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	IR2213	IR	24+	DIP	2560	絕對原裝!現(xiàn)貨熱賣!	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	IR2213	IOR	24+	DIP14	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	IR2213	IR	2020+	DIP14	5000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價

更多IR2213供應(yīng)商更新時間2025-1-12 9:18:00

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