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MV2109

VOLTAGE-VARIABLECAPACITANCEDIODES

VOLTAGE-VARIABLECAPACITANCEDIODES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

MV2109G

SiliconTuningDiodes

ThesedevicesaredesignedinpopularplasticpackagesforthehighvolumerequirementsofFMRadioandTVtuningandAFC,generalfrequencycontrolandtuningapplications.Theyprovidesolid?statereliabilityinreplacementofmechanicaltuningmethods.AlsoavailableinaSurfaceMountPackage

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NMA-2109

NMA2100NOISESOURCESERIES

MICRONETICS

Micronetics, Inc.

PB2109

HighFrequencyWireWoundTransformers

pulse

Pulse A Technitrol Company

PB2109NL

HighFrequencyWireWoundTransformers

pulse

Pulse A Technitrol Company

RN2109

TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1107~RN1109

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

RN2109ACT

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitand DriverCircuitApplications ?Extrasmallpackage(CST3)isapplicableforextrahighdensity fabrication. ?Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount. ?Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermor

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

RN2109F

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1107F~RN1109F

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

RN2109MFV

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Ultra-smallpackage,suitedtoveryhighdensitymounting ●Incorporatingabiasresistorintothetransistorreducesthenumberofparts,so enablingthemanufactureofevermorecompactequipmentandlowering

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

RSZ-2109

1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput

RECOM

Recom International Power

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IR2109S

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    散裝

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.9V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    200mA，350mA

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    150ns，50ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR/VISHAY
SO-8
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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IR
23+
SOP-8
65400
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IOR
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SOP8
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原裝正品，實單請聯(lián)系
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全新原裝現(xiàn)貨
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更多IR2109S供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 14:00:00

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