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IR2105

High Voltage, High Speed Power MOSFET and IGBT Driver

Description TheIR2105isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTTLo

IRF

International Rectifier

IR2105

Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝：管件 類(lèi)別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IR2105S

High Voltage, High Speed Power MOSFET and IGBT Driver

Description TheIR2105isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTTLo

IRF

International Rectifier

IR2105S

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：管件 類(lèi)別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IR2105STR

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：管件 類(lèi)別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ISG2105

NPTIGBT

DESCRIPTION ·LowDiodeVF ·10μsShortCircuitCapability ·UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics APPLICATIONS ·LowEMI ·RuggedTransientPerformance ·BenchmarkEfficiencyforMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

JMCL2105F-D

CircularConnectorsforSolderTerminationsConformingtoJIS-C-5432

◆FEATURES 1.MiniatureandHighDensity Thecontactsavailableinthisseriesare#20and#16 2.5KeystoPreventMismating Theshellhasfivekeys.Alternateinsertpositionseliminatetheconnectormismatingifmorethanoneconnector withthesamesizeandarrangementistobeusedina

DDK

DDK Ltd.

JMCL2105FD-D

CircularConnectorsforSolderTerminationsConformingtoJIS-C-5432

◆FEATURES 1.MiniatureandHighDensity Thecontactsavailableinthisseriesare#20and#16 2.5KeystoPreventMismating Theshellhasfivekeys.Alternateinsertpositionseliminatetheconnectormismatingifmorethanoneconnector withthesamesizeandarrangementistobeusedina

DDK

DDK Ltd.

JMCL2105FG-D

CircularConnectorsforSolderTerminationsConformingtoJIS-C-5432

◆FEATURES 1.MiniatureandHighDensity Thecontactsavailableinthisseriesare#20and#16 2.5KeystoPreventMismating Theshellhasfivekeys.Alternateinsertpositionseliminatetheconnectormismatingifmorethanoneconnector withthesamesizeandarrangementistobeusedina

DDK

DDK Ltd.

JMCL2105FGD-D

CircularConnectorsforSolderTerminationsConformingtoJIS-C-5432

◆FEATURES 1.MiniatureandHighDensity Thecontactsavailableinthisseriesare#20and#16 2.5KeystoPreventMismating Theshellhasfivekeys.Alternateinsertpositionseliminatetheconnectormismatingifmorethanoneconnector withthesamesizeandarrangementistobeusedina

DDK

DDK Ltd.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IR2105

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類(lèi)型：

    同步

  • 柵極類(lèi)型：

    IGBT，N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，3V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    210mA，360mA

  • 輸入類(lèi)型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    100ns，50ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    8-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-PDIP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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SOP-8P
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更多IR2105供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-13 16:00:00

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