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IPX60R380C6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPX60R380C6
廠商型號(hào)

IPX60R380C6

功能描述

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

6R380C6

封裝外殼

PG-TO252

文件大小

1.4056 Mbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-9 18:29:00

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IPX60R380C6規(guī)格書詳情

Features

* Extermely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss

* Very high commutation ruggedness

* Easy to use/drive,Pb-free plating, Halogen free

* Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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