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IPTG210N25NM3FD

OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 250 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Fastdiode(FD)withreducedQrr ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Optimizedforhardcommutationruggedness

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPTG210N25NM3FD供應(yīng)商 更新時間2025-1-5 13:00:00

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