IPTG025N10NM5中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	IPTG025N10NM5
功能描述	OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V
絲印標(biāo)識(shí)	025N10N5
封裝外殼	PG-HSOG-8-1
文件大小	1.32142 Mbytes
頁面數(shù)量	11 頁
生產(chǎn)廠商	Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱	Infineon【英飛凌】
中文名稱	英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-1-7 17:02:00

Features

? N-channel, normal level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? 100 avalanche tested

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? Ideal for high frequency switching and sync. rec.

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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