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IPS20N03L G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個描述：MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPU20N03L	文件：158.76 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries OptiMOSBuckconverterseries Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingbuckconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ME20N03	文件：1.01584 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MI20N03	文件：1.01579 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTD20N03HDL	文件：739.42 Kbytes Page：38 Pages	1.5ASwitch-ModePowerSupplywithLinearRegulator 1.5ASwitch-ModePowerSupplywithLinearRegulator The34701providesthemeanstoefficientlysupplytheFreescalePowerQUICC?I,II,andotherfamiliesofFreescalemicroprocessorsandDSPs.The34701incorporatesahighperformanceswitchingregulator,providingthedirectsupplyforthemi	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體	freescale
MTD20N03HDL	文件：250.81 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL20AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.035OHM HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD20N03HDL	文件：101.21 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD20N03HDLG	文件：101.21 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD20N03HDLT	文件：101.35 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET20Amps,30Volts,LogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD20N03HL	文件：1.01542 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTD20N03	文件：447.31 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features ?Ultra?LowRDS(on),SingleBase,AdvancedTechnology ?SPICEParametersAvailable ?DiodeisCharacterizedforuseinBridgeCircuits ?IDSSandV(on)SpecifiedatElevatedTemperatures ?HighAvalancheEnergySpecified TypicalApplications ?PowerSupplies ?InductiveLoads ?	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
NTD20N03G	文件：1.01617 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTD20N03HL	文件：1.01525 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
RFD20N03	文件：76.53 Kbytes Page：8 Pages	20A,30V,0.025Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD20N03andRFD20N03SMN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplications	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD20N03SM	文件：1.01573 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
RFD20N03SM	文件：76.53 Kbytes Page：8 Pages	20A,30V,0.025Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD20N03andRFD20N03SMN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplications	Intersil Intersil Corporation	Intersil
SDD20N03L	文件：802.04 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDD20N03L	文件：960.02 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SDU20N03L	文件：960.28 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?GenIIIPowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?DC/DCConversion -SystemPower	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SDU20N03L	文件：802.04 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IPS20N03L G
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
包裝：
管件
FET 類型：
N 通道
技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
30A（Ta）
安裝類型：
通孔
供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO251-3-11
封裝/外殼：
TO-251-3 短截引線，IPak
描述：
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市華來深電子有限公司	IPS20N03LG	INFINE0N	23+	TO-251	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IPS20N03LG	INFINEON	1503+	TO251-3	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	IPS20N03LG	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IPS20N03LG	Infineon Technologies	22+	TO2513 Stub Leads IPak	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
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易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IPS20N03LG	Infineon Technologies	23+	TO2513 Stub Leads IPak	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	IPS20N03LG	Infineon Technologies	24+	原裝	5000	原裝正品,提供BOM配單服務(wù)	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IPS20N03LG	Infineon Technologies	2022+	TO-251-3 短截引線,IPak	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
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更多IPS20N03L G供應(yīng)商更新時間2024-10-28 15:31:00

產(chǎn)品屬性

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