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IPP60R950C6	文件：338.19 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.95? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustde	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPP60R950C6	文件：1.92971 Mbytes Page：18 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresulting	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPP60R950C6	文件：1.19162 Mbytes Page：18 Pages	600V CoolMOS??C6 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IIPD60R950C6	文件：335.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.95? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIPP60R950C6	文件：338.19 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.95? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustde	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IPA60R950C6	文件：269.97 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-220FPackage ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplicati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IPA60R950C6	文件：1.92971 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresulting	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB60R950C6	文件：1.92971 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresulting	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPB60R950C6	文件：189.45 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IPD60R950C6	文件：1.19162 Mbytes Page：18 Pages	600VCoolMOS??C6PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPD60R950C6	文件：335.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.95? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPD60R950C6	文件：1.92971 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresulting	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPU60R950C6	文件：247.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPP60R950C6
功能描述：
MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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更多IPP60R950C6供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 14:18:00

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