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IPP147N12N3-G

OptiMOS?? Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPP147N12N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPI147N12N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPI147N12N3G

OptiMOS??Power-Transistor

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MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
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MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
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更多IPP147N12N3-G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-4 10:18:00

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