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IPB12CNE8N

OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated

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IPB12CNE8NG

OptiMOS?2Power-Transistor

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IPP12CNE8N G

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS2 PWR TRANS 85V 67A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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PG-TO220-3
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
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TO2203
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Infineon Technologies
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TO2203
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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更多IPP12CNE8N G供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-7 16:30:00