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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IPM-L123	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	Miniature Integrated Power Monitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪訊美國(guó)JDSU	JDSU
IRF123	文件：68.22 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.2A,80Vand100V,0.27and0.36Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF123	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF123	文件：213.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF123	文件：48.39 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingSpeeds	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF123	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF123	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF123	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF123	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFD123	文件：360.08 Kbytes Page：6 Pages	1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRFD123	文件：1.73655 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching, ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?ForAutomaticInsertion	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD123	文件：934.95 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD123PBF	文件：1.73655 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching, ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?ForAutomaticInsertion	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD123PBF	文件：934.95 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFF123	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors 5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
ISCNH123L	文件：305.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
J123F	文件：130.83 Kbytes Page：2 Pages	ULFclassratedstandard	CIT CIT Relay & Switch	CIT
JMTL123K	文件：183.585 Kbytes Page：4 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
JT-123-SLCF	文件：189.7 Kbytes Page：2 Pages	LINEOUTPUTTRANSFORMER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
K123LA	文件：457.28 Kbytes Page：2 Pages	Safetyandsecuritysystems	Ultralife Ultralife Corporation.	Ultralife

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPM-L123
制造商：
JDSU
制造商全稱：
JDS Uniphase Corporation
功能描述：
Miniature Integrated Power Monitor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多IPM-L123供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 14:59:00

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