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IPI90R1K0C3

CoolMOS??Power Transistor

Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Ultralowgatecharge CoolMOS?900Visdesignedfor: ?QuasiResonantFlyback/Forwardtopologi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA90R1K0C3

CoolMOSPowerTransistor

Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC1) ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Ultralowgatecharge CoolMOS900Visdesignedfor: ?QuasiResonantFlyback/Forward

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英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP90R1K0C3

CoolMOS??PowerTransistor

Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Ultralowgatecharge CoolMOS?900Visdesignedfor: ?QuasiResonantFlyback/Forwardtopologi

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IPW90R1K0C3

CoolMOSPowerTransistor

Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Ultralowgatecharge CoolMOS?900Visdesignedfor: ?QuasiResonantFlyback/Forwardtopologi

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    IPI90R1K0C3

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    CoolMOS™

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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更多IPI90R1K0C3供應(yīng)商 更新時間2024-12-22 16:12:00