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IPI04N03LA	文件：348.17 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPP04N03L	文件：372.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IPP04N03LB	文件：338.93 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPS04N03LA	文件：434.02 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor PackageMarking ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPI04N03LA
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 80A TO-262
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
OptiMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多IPI04N03LA供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-28 15:54:00

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