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IPD028N06NF2S中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPD028N06NF2S
廠商型號(hào)

IPD028N06NF2S

功能描述

StrongIRFETTM2 Power-Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

028N06NS

封裝外殼

PG-TO252-3

文件大小

897.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 19:25:00

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IPD028N06NF2S規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Optimized for wide range of applications

? N-channel, normal level

? 100 avalanche tested

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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