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IPB80N06S3L-08

OptiMOS?-T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB80N06S3L-08

OptiMOS-T2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB80N06S3L-08_07

OptiMOS-T2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI80N06S3L-08

OptiMOS-T2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI80N06S3L-08

OptiMOS?-TPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP80N06S3L-08

OptiMOS-T2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP80N06S3L-08

OptiMOS?-TPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IPB80N06S3L-08

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 80A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
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全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
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TO263-3-2
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全新原裝
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更多IPB80N06S3L-08供應(yīng)商 更新時間2024-11-5 11:03:00