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IPB065N15N3中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPB065N15N3
廠商型號

IPB065N15N3

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

305.86 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-28 10:10:00

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IPB065N15N3規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Drain Source Voltage- : VDSS=150V(Min)

·Fast Switching Speed

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Switch Mode Power Supply (SMPS)

·Uninterruptible Power Supply (UPS)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPB065N15N3

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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