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IPB022N12NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPB022N12NM6
廠商型號(hào)

IPB022N12NM6

功能描述

MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

文件大小

1.14854 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 17:08:00

IPB022N12NM6規(guī)格書(shū)詳情

Features

? N-channel, normal level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low reverse recovery charge (Qrr)

? High avalanche energy rating

? 175°C operating temperature

? Optimized for high frequency switching and synchronous rectification

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? MSL 1 classified according to J-STD-020

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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