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IPB011N04L

OptiMOS3 Power Transistor

Features ?MOSFETforORingandUninterruptiblePowerSupply ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel ?Logiclevel ?Ultra-lowon-resistanceRDS(on) ?100Avalanchetested ?pb-freeplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB011N04LG

Marking：PG-TO263-7；Package：011N04L；OptiMOS3 Power Transistor

Features ?MOSFETforORingandUninterruptiblePowerSupply ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel ?Logiclevel ?Ultra-lowon-resistanceRDS(on) ?100Avalanchetested ?pb-freeplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB011N04NG

OptiMOS3Power-Transistor

Features ?MOSFETforORingandUniterruptiblePowerSupply ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel ?Normallevel ?Ultra-lowon-resistanceRDS(on) ?Avalancherated ?Pb-freeplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

NTMYS011N04C

PowerMOSFET40V,12m,35A,SingleN??hannel

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTMYS011N04CTWG

PowerMOSFET40V,12m,35A,SingleN??hannel

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVLJWS011N04CL

MOSFET??Power,SingleN-Channel40V,11m,37A

Features ?SmallFootprintforCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVMYS011N04C

MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,12m,35A

Features ?SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?LFPAK4Package,IndustryStandard ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVMYS011N04CTWG

MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,12m,35A

Features ?SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?LFPAK4Package,IndustryStandard ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPB011N04L

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 180A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINONE
24+
SOT-263
60000
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINON
2020+
SOT-263
9500
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
21+
TO-263
30000
只做正品原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO263-7
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
INF
21+
TO-263-7
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
Infineon
22+
TO263-7
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
INF
TO-263-7
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO263-7
32365
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
 詢價(jià)
Infineon
23+
TO263-7
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
更多IPB011N04L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 15:54:00

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