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IP1205SA	文件：252.33 Kbytes Page：1 Pages	Regulated Single & Dual Output	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
IP1205SA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：8-SIP 模塊，7 引線類別：電源 - 板安裝直流轉(zhuǎn)換器描述：DC DC CONVERTER 5V 3W	XPP XP Power	XPP
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IPP-1205	文件：63.57 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINE2-WAY	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
IQ1205SA	文件：103.59 Kbytes Page：1 Pages	1Watt	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
IR1205S	文件：72.35 Kbytes Page：1 Pages	Single&DualOutput	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
IR1205SA	文件：72.35 Kbytes Page：1 Pages	Single&DualOutput	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
IRFR/U1205PBF	文件：4.02641 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1205	文件：144.52 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.027ohm,Id=44A?? Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205	文件：334.65 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR1205	文件：912.29 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthroughholemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. ?Ultr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1205	文件：1.14541 Mbytes Page：7 Pages	MOSFET Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR1205PBF	文件：397.83 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205PBF	文件：4.00508 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1205PBF	文件：398.79 Kbytes Page：11 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205TR	文件：1.09783 Mbytes Page：7 Pages	UltraLowOn-Resistance Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)27m(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR1205TR	文件：1.14541 Mbytes Page：7 Pages	MOSFET Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR1205TRPBF	文件：398.79 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205TRPBF	文件：988.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFR1205TRR	文件：4.02641 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IP1205SA
制造商：
XP Power
類別：
電源 - 板安裝 > 直流轉(zhuǎn)換器
系列：
IP (3W)
包裝：
管件
類型：
隔離模塊
電壓 - 輸入（最小值）：
4.5V
電壓 - 輸入（最大值）：
18V
電壓 - 輸出 1：
5V
電流 - 輸出（最大值）：
600mA
應(yīng)用：
ITE（商業(yè)）
特性：
遠(yuǎn)程開/關(guān)，SCP
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
效率：
77%
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
8-SIP 模塊，7 引線
大小 / 尺寸：
0.86" 長 x 0.36" 寬 x 0.44" 高（21.9mm x 9.2mm
描述：
DC DC CONVERTER 5V 3W

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