零件狀態(tài)

在售

FET 類型

N 通道

技術

MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）

100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

120A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

7V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）

4.3 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

111 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

7360 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

245W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應商器件封裝

LFPAK56;_Power-SO8

封裝/外殼

SOT-1023，4-LFPAK

基本產品編號

PSMN3R9