零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
120A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
7V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
4.3 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
111 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
7360 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
245W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK56;_Power-SO8
封裝/外殼
SOT-1023,4-LFPAK
基本產品編號
PSMN3R9