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IMZ120R045M1

Marking：120M1045；Package：PG-TO247-4；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

Features ?Verylowswitchinglosses ?Threshold-freeonstatecharacteristic ?Widegate-sourcevoltagerange ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?0Vturn-offgatevoltage ?Fullycontrollabledv/dt ?Commutationrobustbodydiode,readyforsynchronousrectification ?Eas

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIMW120R045M1

CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFETSiliconCarbideMOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R045M1H

CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFETwith.XTinterconnectiontechnology

InfineonInfineon Technologies AG

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IMW120R045M1

CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFETSiliconCarbideMOSFET

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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原裝進(jìn)口、正品保障、合作持久
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更多IMZ120R045M1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 10:02:00

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