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IMZ120R045M1

Marking：120M1045；Package：PG-TO247-4；CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

Features ?Verylowswitchinglosses ?Threshold-freeonstatecharacteristic ?Widegate-sourcevoltagerange ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?0Vturn-offgatevoltage ?Fullycontrollabledv/dt ?Commutationrobustbodydiode,readyforsynchronousrectification ?Eas

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英飛凌英飛凌科技股份公司

AIMW120R045M1

CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFETSiliconCarbideMOSFET

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IMBG120R045M1H

CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFETwith.XTinterconnectiontechnology

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CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFETSiliconCarbideMOSFET

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更多IMZ120R045M1供應商 更新時間2025-4-29 10:00:00

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