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IMT4T108

General purpose (dual transistors)

Features 1)Two2SA1514KchipsinanAMTpackage. 2)Highbreakdownvoltage.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

IMZ4T108

Generalpurposetransistor(dualtransistors)

Features 1)Includesa2SA1036Kanda2SC411KtransistorinaSMTpackage. 2)MountingpossiblewithSMT3automaticmountingmachine. 3)Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. 4)Highcollectorcurrent.IC=500mA 5)Mountingcostandareacanbecutinhalf.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IMT4T108

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT DUAL PNP 120V 50MA SOT-457

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
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SOT-363
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更多IMT4T108供應(yīng)商 更新時間2025-1-16 16:49:00

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