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IMBG120R053M2H

CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=29AatTC=100°C ?RDS(on)=52.6mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparas

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IMBG120R053M2H供應商 更新時間2024-10-26 11:00:00

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